Производитель Номер продукта:
FDD8580
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD8580-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 49.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12837630
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD8580 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1445 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
49.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD858
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD8580TR
FDD8580DKR
FDD8580CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA75309D3
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
FDMC15N06
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
2SK4065-DL-1EX
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-2
