Производитель Номер продукта:
FDD86081-F085
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD86081-F085-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta), 21.4A (Tc) 3W (Ta), 31.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Инвентаризация:
12958631
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD86081-F085 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.7A (Ta), 21.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
493 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 31.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
488-FDD86081-F085CT
488-FDD86081-F085TR
488-FDD86081-F085DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH220N20X4
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
IRFR310TRPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
MCPF12N65-BP
MOSFET N-CH
