Производитель Номер продукта:
FDFMA2P029Z-F106
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDFMA2P029Z-F106-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Инвентаризация:
12846911
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDFMA2P029Z-F106 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
720 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Чехол
6-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
FDFMA2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-FDFMA2P029Z-F106CT
488-FDFMA2P029Z-F106TR
488-FDFMA2P029Z-F106DKR
2832-FDFMA2P029Z-F106TR
FDFMA2P029Z-F106-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
NDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
