Производитель Номер продукта:
FDFMA3N109
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDFMA3N109-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Инвентаризация:
12848317
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDFMA3N109 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
220 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Чехол
6-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
FDFMA3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTLJF4156NT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
28406
Номер части
NTLJF4156NT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDP150N10A
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
IPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
