Производитель Номер продукта:
FDG312P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDG312P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Инвентаризация:
12836577
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDG312P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
FDG312
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDG312PTR
FDG312PDKR
FDG312PCT
2832-FDG312P
FDG312P-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK4116LS
MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FQU7P06TU_NB82048
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
