FDG361N
Производитель Номер продукта:

FDG361N

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDG361N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Подробное описание:
N-Channel 100 V 600mA (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Инвентаризация:

12850175
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDG361N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
153 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
420mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
FDG361

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQD7N10TM

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON7296

MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF10T60

MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F

onsemi

FQU2N60TU

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK