Производитель Номер продукта:
FDI045N10A
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDI045N10A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12846600
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDI045N10A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
263W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FDI045
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDI045N10A-F102
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
475
Номер части
FDI045N10A-F102-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.84
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IPI045N10N3GXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
894
Номер части
IPI045N10N3GXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.32
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOTF290L
MOSFET N-CH 100V 72A TO220F
AO3420L
MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23-3
FDMS0309AS_SN00347
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
