Производитель Номер продукта:
FDI2532
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDI2532-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12836349
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDI2532 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FDI2532
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
HUF76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
