Производитель Номер продукта:
FDMC4435BZ-F126
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMC4435BZ-F126-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Подробное описание:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Инвентаризация:
12848802
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMC4435BZ-F126 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2045 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
FDMC4435
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMC4435BZ_F126CT-DG
FDMC4435BZ_F126TR-DG
FDMC4435BZ-F126CT
FDMC4435BZ-F126DKR
488-FDMC4435BZ-F126TR
FDMC4435BZ_F126TR
488-FDMC4435BZ-F126DKR
FDMC4435BZ_F126
FDMC4435BZ-F126TR
FDMC4435BZ_F126DKR
488-FDMC4435BZ-F126CT
FDMC4435BZ_F126DKR-DG
FDMC4435BZ-F126TR-DG
FDMC4435BZ-F126CT-DG
FDMC4435BZ_F126CT
FDMC4435BZ-F126DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDMC4435BZ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11065
Номер части
FDMC4435BZ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.37
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDC652P
MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
NVMFS5A160PLZWFT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
