Производитель Номер продукта:
FDMC510P-F106
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMC510P-F106-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
Подробное описание:
P-Channel 20 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Инвентаризация:
12850434
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMC510P-F106 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
116 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7860 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
FDMC510
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDMC510P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
49320
Номер части
FDMC510P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.82
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDG332PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
FDPF52N20T
MOSFET N-CH 200V 52A TO220F
