FDMC8878_F126
Производитель Номер продукта:

FDMC8878_F126

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDMC8878_F126-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Инвентаризация:

12847808
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMC8878_F126 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
FDMC88

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMC8878_F126CT
FDMC8878_F126DKR
FDMC8878_F126TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FDMC8878
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6381
Номер части
FDMC8878-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTB85N03

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

onsemi

FQD6P25TF

MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

onsemi

FDB8444-F085

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

onsemi

FQA11N90C-F109

MOSFET N-CH 900V 11A TO3P