FDMC8882
Производитель Номер продукта:

FDMC8882

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDMC8882-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Инвентаризация:

61937 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12837267
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMC8882 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
945 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 18W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
FDMC88

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMC8882FSDKR
FDMC8882-DG
FDMC8882FSTR
FDMC8882FSCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMS8320L

MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN

onsemi

FDMC86570LET60

MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33

onsemi

FDB20N50F

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

onsemi

FDP8876

MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3