Производитель Номер продукта:
FDMD8560L
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMD8560L-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Инвентаризация:
2932 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850019
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMD8560L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A, 93A
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
128nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11130pF @ 30V
Мощность - Макс
2.2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-Power 5x6
Базовый номер продукта
FDMD8560
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMD8560LTR
2156-FDMD8560L-488
2832-FDMD8560L
FDMD8560LDKR
FDMD8560LCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4892
MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC
FD6M045N06
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
FDS6990AS
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
