Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FDMS001N025DSD
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS001N025DSD-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12849952
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS001N025DSD Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Мощность - Макс
2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Базовый номер продукта
FDMS001
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FDMS001N025DSD
HTML Спецификация
FDMS001N025DSD-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-FDMS001N025DSD-OS
2832-FDMS001N025DSDTR
ONSONSFDMS001N025DSD
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDY3001NZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT563F
AON6974A
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
AO4614B
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
AOSD62666E
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC