Производитель Номер продукта:
FDMS10C4D2N
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS10C4D2N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
2995 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12835644
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS10C4D2N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS10C4D2NOSDKR
FDMS10C4D2NOSCT
FDMS10C4D2NOSTR
FDMS10C4D2N-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
AONS66916
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2982
Номер части
AONS66916-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.52
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
2SK4043LS
MOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
HUFA75329S3ST
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
