Производитель Номер продукта:
FDMS3660S
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS3660S-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56
Инвентаризация:
5493 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849701
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS3660S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A, 60A
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1765pF @ 15V
Мощность - Макс
1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
Power56
Базовый номер продукта
FDMS3660
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS3660SFSTR
FDMS3660SFSCT
FDMS3660SFSDKR
2832-FDMS3660STR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDW2508P
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
AO4822AL_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
FDS6890A
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
