Производитель Номер продукта:
FDMS5672
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS5672-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Инвентаризация:
5479 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS5672 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.6A (Ta), 22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-MLP (5x6), Power56
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
FDMS56
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS5672CT
FDMS5672TR
FDMS5672DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC86520L
MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
HUFA76429D3
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
