Производитель Номер продукта:
FDMS6673BZ
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS6673BZ-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Подробное описание:
P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
11440 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848750
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS6673BZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.2A (Ta), 28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5915 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS6673
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS6673BZTR
FDMS6673BZDKR
2832-FDMS6673BZTR
FDMS6673BZCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MTD6N15T4
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
NTB125N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
BSS123L
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
