Производитель Номер продукта:
FDMS8350LET40
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS8350LET40-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Подробное описание:
N-Channel 40 V 49A (Ta), 300A (Tc) 3.33W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
2227 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12837587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS8350LET40 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
49A (Ta), 300A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
219 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16590 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.33W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS8350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS8350LET40-DG
488-FDMS8350LET40TR
488-FDMS8350LET40DKR
488-FDMS8350LET40CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQB17N08TM
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
HUFA76432S3ST
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
FQB6N70TM
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
