Производитель Номер продукта:
FDMS86150ET100
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS86150ET100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Подробное описание:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 128A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
5279 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849450
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS86150ET100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 128A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4065 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS86150ET100TR
FDMS86150ET100CT
FDMS86150ET100DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AON7764
MOSFET N-CH 30V 30A/32A 8DFN
FCPF16N60NT
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
AON6544
MOSFET N-CH 30V 60A/85A 8DFN
