Производитель Номер продукта:
FDMS86322
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS86322-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 80 V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
5581 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848510
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS86322 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.65mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS86322DKR
FDMS86322TR
FDMS86322CT
FDMS86322-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQB22P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
FQI47P06TU
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
NTHS4501NT1
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
