Производитель Номер продукта:
FDMS86350ET80
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS86350ET80-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Подробное описание:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
19489 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847722
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS86350ET80 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta), 198A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8030 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS86350ET80TR
FDMS86350ET80DKR
2156-FDMS86350ET80-OS
FDMS86350ET80CT
ONSONSFDMS86350ET80
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDN336P-NL
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
FDWS9510L-F085
MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN
