FDMT80080DC
Производитель Номер продукта:

FDMT80080DC

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDMT80080DC-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Подробное описание:
N-Channel 80 V 36A (Ta), 254A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Инвентаризация:

6688 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839668
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMT80080DC Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
Dual Cool™, PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Ta), 254A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20720 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-Dual Cool™88
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
FDMT80080

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMT80080DCDKR
FDMT80080DCCT
FDMT80080DCTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQU2N50BTU-WS

MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK

onsemi

FDS86140

MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC

onsemi

FDB9406-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK

onsemi

HUF76439P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3