Производитель Номер продукта:
FDN302P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDN302P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
13756 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12836378
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDN302P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
882 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDN302
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDN302P-NDR
FDN302P-DG
FDN302PCT
FDN302PTR
2156-FDN302P-OS
FAIFSCFDN302P
FDN302PDKR
Q1148322
2832-FDN302P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQH44N10-F133
MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3
FQPF5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDP038AN06A0-F102
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3