Производитель Номер продукта:
FDN5618P-B8
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDN5618P-B8-DG
Описание:
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-3
Инвентаризация:
12969780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDN5618P-B8 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
430 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
460mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-FDN5618P-B8TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFWS015N10MCLT1G
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
NVMYS003N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
NTMFS4C302NT3G
NFET SO8FL 30V 1.15MO