Производитель Номер продукта:
FDN5632N-F085
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDN5632N-F085-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
55416 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12846305
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDN5632N-F085 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
82mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
475 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDN5632
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDN5632N_F085TR
FDN5632N_F085DKR
FDN5632N_F085CT-DG
FDN5632N_F085TR-DG
FDN5632N_F085
FDN5632N-F085CT
FDN5632N-F085TR
FDN5632NF085
FDN5632N-F085DKR
FDN5632N_F085DKR-DG
FDN5632N_F085CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
AOB11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AO7408L
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6
