Производитель Номер продукта:
FDP020N06B-F102
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDP020N06B-F102-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
1705 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12837446
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP020N06B-F102 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20930 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP020
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
FDP020N06B_F102-DG
FDP020N06B-DG
FDP020N06B_F102
FDP020N06B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCH22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
FDP038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
FDP053N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
