Производитель Номер продукта:
FDP027N08B-F102
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDP027N08B-F102-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
740 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849985
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP027N08B-F102 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13530 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
246W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP027
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
AO4459L
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SO
FDB088N08
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
