FDP030N06B-F102
Производитель Номер продукта:

FDP030N06B-F102

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDP030N06B-F102-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

725 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848326
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDP030N06B-F102 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8030 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
205W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP030

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-FDP030N06B-F102
FDP030N06B_F102-DG
FDP030N06B_F102

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
alpha-and-omega-semiconductor

AOB482L

MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AON7430

MOSFET N-CH 30V 13A/34A 8DFN

onsemi

NTB23N03R

MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON7264E

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN