FDP045N10A-F102
Производитель Номер продукта:

FDP045N10A-F102

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDP045N10A-F102-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12837509
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDP045N10A-F102 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
263W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP045

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
FDP045N10A_F102-DG
FDP045N10A_F102

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMS2504SDC

MOSFET N-CH 25V 42A/49A DLCOOL56

onsemi

FDD6637

MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK

onsemi

FDD86102

MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK

onsemi

FQD2N90TF

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK