Производитель Номер продукта:
FDP2D9N12C
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDP2D9N12C-DG
Описание:
PTNG 120V N-FET TO220
Подробное описание:
N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12839564
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP2D9N12C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 210A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 686µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8894 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP22N30
MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
FDMS0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FDD5N50UTF_WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
