FDR858P
Производитель Номер продукта:

FDR858P

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDR858P-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Инвентаризация:

12847149
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDR858P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2010 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSOT™-8
Упаковка / Чехол
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Базовый номер продукта
FDR85

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQAF19N20

MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF

onsemi

FDY101PZ

MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6372

MOSFET N-CH 30V 47A 8DFN

onsemi

FQA33N10

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P