Производитель Номер продукта:
FDS6162N3
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDS6162N3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Инвентаризация:
12850681
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6162N3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO FLMP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Базовый номер продукта
FDS61
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDS6162N3CT-NDR
FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-DG
FDS6162N3_NLTR
FDS6162N3CT
FDS6162N3TR-NDR
FDS6162N3TR
FDS6162N3_NLTR-DG
FDS6162N3DKR
FDS6162N3_NL
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
