Производитель Номер продукта:
FDS6690A
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDS6690A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
4652 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12846791
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6690A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1205 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
FDS6690
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDS6690ACT
FDS6690ADKR
FDS6690ATR
2832-FDS6690A
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA75639S3ST-F085A
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
HUFA76639S3S
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
FDMA86551L
MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
