Производитель Номер продукта:
FDS6900AS-G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDS6900AS-G-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12959306
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6900AS-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.9A, 8.2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600pF @ 15V
Мощность - Макс
900mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
FDS69
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
488-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-G-488
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
