FDS7060N7
Производитель Номер продукта:

FDS7060N7

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDS7060N7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 19A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

Инвентаризация:

12846210
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDS7060N7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3274 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO FLMP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Базовый номер продукта
FDS70

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDS7060N7_NLTR
FDS7060N7_NL
FDS7060N7DKR
FDS7060N7CT
FDS7060N7_NLCT
FDS7060N7TR
FDS7060N7TR-NDR
FDS7060N7_NLTR-DG
FDS7060N7_NLCT-DG
FDS7060N7CT-NDR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
alpha-and-omega-semiconductor

AON6796

MOSFET N-CH 30V 32A/70A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON7448

MOSFET N-CH 80V 7.1A/24A 8DFN

onsemi

CPH6445-TL-E

MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6

onsemi

FQB2N80TM

MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK