Производитель Номер продукта:
FDT86102LZ
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDT86102LZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Инвентаризация:
7191 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848072
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDT86102LZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1490 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
FDT86102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD4863NAT4G
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
FDFS6N303
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK