Производитель Номер продукта:
FDT86113LZ
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDT86113LZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Инвентаризация:
43059 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
zhcX
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDT86113LZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
315 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
FDT86113
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
FDT86113LZDKR
FDT86113LZCT
FDT86113LZ-DG
FDT86113LZTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
FDWS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
