Производитель Номер продукта:
FDT86256
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDT86256-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 150 V 1.2A (Ta), 3A (Tc) 2.3W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Инвентаризация:
2806 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839974
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDT86256 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Ta), 3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
845mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
73 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 10W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
FDT86
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
FDT86256CT
FDT86256DKR
FDT86256TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDT86246
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5563
Номер части
FDT86246-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.43
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD32N06
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
FQP7N10
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
