FDV303N
Производитель Номер продукта:

FDV303N

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDV303N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

86301 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850112
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDV303N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDV303

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDV303NCT
2156-FDV303N-OS
FDV303NCT-NDR
FDV303NDKR
FDV303NTR
ONSONSFDV303N
FDV303NTR-NDR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

IRF840B

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

onsemi

FQD6N50CTM

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1413

MOSFET P-CH 30V 38A ULTRASO-8

onsemi

FQD4N20LTF

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK