Производитель Номер продукта:
FJN3303RTA
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FJN3303RTA-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
12848037
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FJN3303RTA Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
300 mW
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Базовый номер продукта
FJN330
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
FJN3303RTA-DG
FJN3303RTACT
FJN3303RTATB
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
MMUN2212LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7095
Номер части
MMUN2212LT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DRC9114E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
DRC5123E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC2144E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3