Производитель Номер продукта:
FQA6N90C-F109
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQA6N90C-F109-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Подробное описание:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
12850348
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
0USL
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQA6N90C-F109 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
198W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FQA6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
FQA6N90C_F109-DG
FQA6N90C_F109
ONSONSFQA6N90C-F109
2156-FQA6N90C-F109-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
FDMC7660DC
MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
AO4423
MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC