Производитель Номер продукта:
FQA8N100C
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQA8N100C-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
230 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849016
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQA8N100C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3220 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FQA8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
FQA8N100C-DG
FQA8N100CFS
2156-FQA8N100C-OS
ONSONSFQA8N100C
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOW25S65
MOSFET N-CH 650V 25A TO262
CPH3362-TL-W
MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH
NCV8440STT3G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
