Производитель Номер продукта:
FQA90N10V2
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQA90N10V2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12850229
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQA90N10V2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
330W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FQA9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFP4310ZPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1902
Номер части
IRFP4310ZPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.10
Тип замещения
Similar
Номер детали
2SK1317-E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5608
Номер части
2SK1317-E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
