Производитель Номер продукта:
FQA9N90-F109
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQA9N90-F109-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Подробное описание:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
12930668
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQA9N90-F109 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
240W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FQA9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Другие названия
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
2SK1317-E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5608
Номер части
2SK1317-E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
