Производитель Номер продукта:
FQA9N90C-F109
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQA9N90C-F109-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
Инвентаризация:
12847489
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQA9N90C-F109 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
280W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FQA9
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2832-FQA9N90C-F109
2156-FQA9N90C-F109-OS
FQA9N90C_F109-DG
ONSONSFQA9N90C-F109
FQA9N90C_F109
FQA9N90CF109
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD4856N-1G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
HUF75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK