Производитель Номер продукта:
FQB19N20TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQB19N20TM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
2296 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848453
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQB19N20TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB19N20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FQB19N20TM-DG
FQB19N20TMCT
FQB19N20TMTR
FQB19N20TMDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
FDMS7660
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
NVMFS6B14NLT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
