FQB4P25TM
Производитель Номер продукта:

FQB4P25TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQB4P25TM-DG

Описание:

MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12836098
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQB4P25TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB4

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRF5210STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7933
Номер части
IRF5210STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRFS3006-7P

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

onsemi

FQD7P06TM

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

onsemi

FDN340P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3