FQB7P06TM
Производитель Номер продукта:

FQB7P06TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQB7P06TM-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 7A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12849623
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQB7P06TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
410mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
295 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB7

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRF5210STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7933
Номер части
IRF5210STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQPF1P50

MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F

onsemi

FDMS8672AS

MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN

alpha-and-omega-semiconductor

AO4449

MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FQT13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4