Производитель Номер продукта:
FQD11P06TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQD11P06TM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
58874 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850869
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQD11P06TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD11P06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-FQD11P06TM-OS
ONSONSFQD11P06TM
FQD11P06TMTR
FQD11P06TMDKR
FQD11P06TMCT
FQD11P06TM-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
FDD8896-F085
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FQPF4N90CT
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F